Lịch sử, sự phát triển và tương lai của công nghệ quang điện
Theo kích thước và đường kính của tấm silicon trên thị trường, có tổng cộng tám loại, đó là: M0, M1, M2, M4, G1, M6, M10 và G12. Các lề là 156mm, 156,75mm và 156,75mm. mm, 161,7mm, 158,75mm, 166mm, 182mm, 210mm.
Từ công nghệ và kiểm soát chi phí, kích thước của wafer silicon tăng lên có thể giảm chi phí điện và thời gian cắt, làm giảm chi phí phi silicon của tế bào, và do đó giảm chi phí sản xuất wafer silicon, phù hợp với mục tiêu xu hướng phát triển giảm chi phí và nâng cao hiệu quả của ngành công nghiệp quang điện.
Tấm silicon đơn tinh thể trở thành xu hướng chủ đạo của thị trường.
Đồng thời, xu hướng làm mỏng wafer cũng đang tăng tốc.
Nguyên lý của công nghệ tế bào quang điện, tức là hiệu ứng quang điện, tức là do ánh sáng, giữa các phần khác nhau của vật liệu bán dẫn tạo ra sự chênh lệch điện thế, tạo thành điện áp, sau đó tạo thành dòng điện. Nó là cơ sở của công nghệ phát điện quang điện giúp chuyển đổi năng lượng ánh sáng mặt trời thành năng lượng điện, chuyển đổi photon thành điện tử và chuyển đổi năng lượng ánh sáng thành năng lượng điện.
Sự phát triển của công nghệ pin công nghiệp quang điện đã trải qua nhiều giai đoạn. Chìa khóa cho sự phát triển lặp đi lặp lại của công nghệ pin trong tương lai cũng là bắt đầu bằng việc cải thiện hiệu suất chuyển đổi quang điện và giảm tỷ lệ thất thoát quang và điện.
Từ năm 2005 đến 2018, pin BSF, tức là pin trường nhôm, là công nghệ pin quang điện thế hệ đầu tiên chủ đạo.
Kể từ năm 2016, thị phần của các tế bào PERC và PERC+ đơn tinh thể loại P thế hệ thứ hai đã dần tăng lên và chúng đã trở thành sản phẩm chủ đạo với hiệu quả kinh tế trên thị trường.
Trong tương lai, của chúng tôi sự chú ý sẽ dần chuyển sang các công nghệ pin loại N do TOPCon, HJT và IBC đại diện, sẽ dần trở thành hướng phát triển chủ đạo của pin silicon tinh thể hiệu suất cao thế hệ tiếp theo của ngành.
